CuCl等在 γ -Al 2 O 3 表面的分散及其对乙烯吸附的研究

本文研究了CuCl在γAl 2 0 3 表面上的分散和乙烯在CuCl/γ-Al 2 O 3 上的吸附和程序升温脱附情况.X射线相定量法和紫外漫反射法都表明用烘烤法或浸渍法制备的CuCl/γ-Al 2 0 3 中CuCl在γ-Al 2 0 3 表面可达单层分散.X射线相定量法测得CuCl在γ-Al 2 0 3 表面上的最大分散量为0.095克CuCl/100米 2 γ-Al 2 0 3 表面.吸附和程序升温脱附研究表明,分散在γ-Al 2 0 3 表面上的CuCl在室温常压下便可吸附乙烯,比纯CuCl吸附乙烯的能力提高千倍以上,分散后的CuCl吸附乙烯的分子比可高达0.19C 2 H 4 分子/Cu + 离子.分散在γ-Al 2 0 3 表面上的CuCl可与C 2 H 4 ,C 3 H 6 等形成表面π络合物,但要求有合适的几何环境.这些结果可供利用CuCl/γ-Al 2 0 3 分离含不饱和键分子时参考。