A method for forming a channel region of a transistor and NMOS transistor

Verfahren zur Bildung einer Kanalzone (12; 12a, 12b) eines NMOS-Feldeffekttransistors unter einer Polysiliziumschicht (11), bei dem die Polysiliziumschicht (11) uber der zu bildenden Kanalzone (12; 12a, 12b) strukturiert und als Maskensubstrat fur die folgende Dotierung der Kanalzone (12, 12a, 12b) verwendet wird, und das auserdem folgende Schritte aufweist: (A): die Polysiliziumschicht (11) wird unter Bildung von Lochern (2) im Gatebereich (8) und Saulen (1) im Sourcebereich (7) strukturiert; (B): die Kanalzone (12a, 12b) wird mit gewunschter Fremdstoffkonzentration unter Verwendung der in Schritt (A) strukturierten Polysiliziumschicht (11) als Dotierungsmaske dotiert und (C): die dotierte Kanalzone wird ausdiffundiert.