Al2O3沉积功率对共溅射Al-Zn-Sn-O薄膜晶体管性能的影响

我们采用与现有工业生产相兼容的磁控溅射工艺,利用三靶磁控共溅射的方式制得了非晶AZTO（Al-Zn-SnO）薄膜,薄膜在波长550 nm处的透过率均在85%以上。然后,制备了以AZTO薄膜为有源层的薄膜晶体管。通过调节Al2O3沉积功率,进一步探究了Al2O3含量对AZTO薄膜晶体管性能的影响。研究发现,随着Al2O3沉积功率的增加,器件的迁移率逐渐下降,阈值电压升高,但是器件的关态电流显著降低,开关比提高。当Al2O3沉积功率为20 W时,获得了最好的转移特性曲线,其迁移率为2.43 cm2/V·s,开关比为1.9＊105,阈值电压为26.6 V。