Study of the Electroless Silver Seed Formation on Silicon Surface

硅上的银种子在房间温度通过水的 HF 和 AgNO3 答案被准备。为了探索银的形成过程，在硅上播种，有时间(OCP-t ) 的开的电路潜力的方法，阳极的脱衣打扫 voltammetry (ASV ) 和扫描通道显微镜(STM ) 在这个工作被使用。银原子核长成大粒子的过程被电镀物品否定性解释。硅上的银种子的生长机制被介绍了：起初，银单层并且多层没有充分在损坏硅由于从硅吸引电子的银种子蚀刻的情况下盖住表面，第一成长到硅上在那以后，单层一起联合，有扩散进硅的一些银原子的形成的连续谷物电影并且多层仍然同时变得厚。