Dispositifs bipolaires mos carbure de silicium haute tension possedant des capacites de blocage bidirectionnelles et procedes de fabrication de ceux-ci

La presente invention concerne des dispositifs semi-conducteurs haute tension en carbure de silicium et des procedes de fabrication de ceux-ci. Ces dispositifs comprennent un substrat de blocage de tension. Des transistors bipolaires a grille isolee possedent un substrat de blocage de tension. Une terminaison de bord plane et en biseau peut-etre prevue.