Conditions de diffusion d'émetteur pour silicium noir

Dans certains cas, il est souhaitable d'effectuer un dopage lors de la fabrication d'une cellule solaire afin d'ameliorer le rendement. A cet effet, selon l'invention, une diffusion de dopant comprend les etapes suivantes : (a) une rampe en temperature initiale, (b) une circulation de vapeur de dopant, (c) une diffusion en profondeur, et (d) un refroidissement. Cependant, un dopage peut produire en resultat un dopage excessif, par exemple dans des regions ou la cellule solaire a ete texturee a une echelle nanometrique pour produire du silicium noir, de facon a creer ainsi une zone morte ayant une recombinaison excessive de porteurs de charge. Dans les systemes et le procede decrits selon l'invention, des etapes de circulation de vapeur de dopant et de diffusion en profondeur peuvent etre effectuees a deux points de consigne de temperature differents pour minimiser ou eliminer la formation de zones mortes. Dans certains modes de realisation, la circulation de vapeur de dopant peut etre effectuee a un point de consigne de temperature inferieur a celui de la diffusion en profondeur.