Optimization of the Doped Ablator Layers for the Plastic Ignition Capsule

纸理论上为塑料点火囊调查做的烧蚀挡板层的优化。解决高度的一个维的内爆模拟证明做 Si 的设计的内部纯 CH 层被难 X 光过分地预热，导致与做 Ge 的囊相比的不稳定的烧蚀挡板燃料接口。这是因为 Si K 壳吸收边(1.8 keV ) 比 Ge 壁(1.3 keV ) ，和 Si 掺杂物让更多的难 X 光通过做的烧蚀挡板层渗透预热的高内部纯 CH 层。做的烧蚀挡板层(“叫的 Si/Ge 囊”) 的优化因此被执行：做 Si 的 CH 层被放靠着外部纯 CH 层保留高内爆速度；靠着做 Si 的层是薄做 Ge 的层，以便吸收难 X 光并且保护内部 undoped CH 层免受过分地预热的伤害。当保留高内爆速度时，模拟证明 Si/Ge 囊罐头有效地在烧蚀挡板燃料接口改进水动力学稳定性。