400 MeV/u碳离子打靶的屏蔽参数计算

为了给医用重离子加速器提供一种专用的快速计算屏蔽厚度或对蒙特卡罗模拟结果进行验证的方法。采用FLUKA程序完成了400 MeV/u碳离子打不同靶的屏蔽参数计算。首先研究了打厚靶(铁、水)产生的次级辐射场的角度分布及主要成分；接着给出了不同角度范围下周围剂量当量在屏蔽体中的衰减曲线，通过拟合数据进一步得到不同角度范围下的辐射源项值H0和衰减长度λ0；最后结合莆田市医用重离子加速器治疗室的屏蔽设计，介绍了此套屏蔽参数的使用方法，通过与蒙特卡罗模拟结果的对比，证明了这套屏蔽参数的可靠性。该参数可为同类医用重离子加速器的屏蔽设计提供可靠的参考数据。