直流电弧等离子喷射CVD中控制生长（111）晶面占优的金刚石膜

运用光发射谱（OES）技术对大功率直流电弧等离子喷射CVD金刚石膜的气相沉积环境进行了原位诊断，研究了气相环境中主要含碳基团的浓度及分布与沉积参数的关系，发现了C2基元比其他基元对沉积参数更加敏感。利用光发射谱对C2基元发射强度的监测，实时调控沉积各参数，在大功率直流电弧等离子喷射CVD中实现了（111）晶面占优的金刚石膜的可控生长，I（111）／I（220）XRD衍射峰强度的比值达48。