Mems structures for electrical bypass devices
2012
公开了包括用于互补金属氧化物半导体(CMOS)和/或微机电系统(MEMS)器件的旁路结构的装置以及这种装置的制造方法。 示例性装置包括:第一衬底;第二衬底,包括MEMS器件;绝缘体,设置在第一衬底和第二衬底之间;以及电旁路结构,设置在接触所述第一衬底的一部分的绝缘体层中,其中,电旁路结构与第二衬底中的MEMS器件和第一衬底中包括的任何器件电隔离。
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