Untersuchungen zur heteroepitaktischen Abscheidung von GaP auf GaAs aus der Sn‐Lösung

Es werden die verwendeten Zuchtungsapparaturen beschrieben und die experimentellen Daten zur Abscheidung von GaP und Ga(AsP) auf GaAs mitgeteilt. Daran schliest sich eine Diskussion des Einflusses der Zuchtungsparameter (Temperatur, Abkuhlungsgeschwindigkeit, Schmelzenzusammensetzung) auf die Ausbildung des Heterouberganges und den damit im Zusammenhang stehenden Losungsmitteleinschlussen an. Die Auswirkung der Substratfehlorientierung auf die Oberflachenmorphologie wird untersucht. The used liquid-phase epitaxy apparates are described and the experimental conditions of growth on GaP and Ga(AsP) onto GaAs-substrates are reported. The influence of growing conditions (temperature, cooling rate, composition of melt) on the quality of interface and on the inlusion of solvent are discussed. The consequence of varying degrees of substrat-misorientation on the surface morphology has been studied.