단전자 트랜지스터 및 그 제조 방법

단전자 트랜지스터는, 반도체 기판, 소스/드레인 층들, 나노 와이어 채널, 산화 채널 영역, 양자점 및 게이트 전극을 포함한다. 소스/드레인 층들은 반도체 기판 상에 서로 이격되어 형성된다. 나노 와이어 채널은 소스/드레인 층들을 연결한다. 산화 채널 영역은 나노 와이어 채널 내에 형성되어 나노 와이어 채널 일부를 서로 절연시킨다. 양자점은 상기 산화 채널 영역에 의해 둘러싸여 형성된다. 게이트 전극은 나노 와이어 채널 일부를 감싼다. 단전자 트랜지스터는 원하는 위치에 형성된 수 나노미터 크기의 양자점들을 가질 수 있다.