CINÉTICA DE FOTO-OXIDACIÓN DEL SILICIO POROSO NANOESTRUCTURADO

Durante la recombinacion bimolecular de portadores fotogenerados en silicio poroso nanoestructurado, la energia puede relajar en forma no radiativa a traves de fluctuaciones de alta energia y corta vida (SLEFs) que provocan movimiento de atomos de hidrogeno presentes en la superficie de los poros, pudiendo incluso exodifundir. Durante estas fluctuaciones se producen ademas enlaces colgantes que generan estados de defecto, atenuando la luminiscencia del material. La creacion de enlaces colgantes, el decaimiento de la fotoluminiscencia y catodoluminiscencia, y la exodifusion de hidrogeno responden a la misma cinetica determinada por la existencia de SLEFs. Se muestra que la cinetica de foto-oxidacion del silicio poroso preparado bajo condiciones de iluminacion intensa puede explicarse con un modelo que contempla como factor limitante al cubrimiento superficial con hidrogeno, controlado por SLEFs.