Low light detection with organic photo sensitive component

Die Erfindung betrifft die neuartige Verwendung einer organischen Zwischenschicht (30) in einem fotosensitiven Bauteil (1, 2, 3) zur Erhohung der Grenzfrequenz (f co ) des Bauteils, bevorzugt im Bereich niedriger Bestrahlungsintensitaten (I λ ). Das fotosensitive Bauteil (1, 2, 3) ist insbesondere eine Diode mit einer fotoaktiven organischen Halbleiterschicht (31), einer ersten (20) und einer zweiten Elektrode (21), wobei zwischen der fotoaktiven Halbleiterschicht (31) und wenigstens einer der Elektroden (20, 21) eine organische Zwischenschicht (30) angeordnet ist. Die organische Zwischenschicht (30) ist insbesondere eine Ladungsblockierschicht.