Photodétecteur en proche ir exempt de contact germanium-métal

L'invention concerne un photodetecteur Ge-sur-Si construit sans dopage ni contact du germanium avec du metal. Malgre le processus de fabrication simplifie, le dispositif presente une reactivite de 1,24 A/W, correspondant a un rendement quantique de 99,2%. Le courant d'obscurite est de 40 nA a -4 V de polarisation inverse. La bande passante a 3 dB est de 30 GHz.