Fet à canal contraint avec tampons de source / drain

L'invention concerne un procede de formation d'un transistor a effet de champ (FET) a canal contraint avec tampons (501) de source / drain, comportant les etapes consistant a graver chimiquement des cavites (301) dans un substrat (201) de part et d'autre d'un empilement de grille situe (202/203) sur le substrat ; a deposer un materiau (401) pour tampon de source / drain dans les cavites ; a graver chimiquement le materiau pour tampon de source / drain de facon a former des tampons verticaux de source / drain au voisinage d'une region (502) de canal du FET ; et a deposer un materiau (601) de contrainte de source / drain dans les cavites au voisinage et au-dessus des tampons verticaux de source / drain.