Procede de formation de nanoagregats

L'invention porte sur un procede de formation de nanoagregats consistant a fournir un substrat semi-conducteur (32) ; a former une couche dielectrique (34) sur le substrat semi-conducteur, a exposer le substrat semi-conducteur a un premier flux d'atomes (52) afin de former un premier noyau (42) sur la couche dielectrique, a exposer le premier noyau a une premiere atmosphere inerte (44) apres avoir expose le substrat semi-conducteur au premier flux, et a exposer le substrat semi-conducteur a un second flux d'atomes (52) afin de former un second noyau (54) apres avoir expose le premier noyau a une atmosphere inerte.