Sulfuration thermique de InP sous pression réduite de vapeur de soufre

Resume Dans cet article nous presentons une approche experimentale de la croissance d'une couche dielectrique a la surface d'InP(100) par sulfuration thermique sous pression reduite de soufre vapeur. Les cinetiques de croissance sont etudiees et comparees a celles obteneus en sulfuration plasma. La composition des sulfures determinee par spectroscopie de photoemission X montre que l'on tend vers la stoechiometrie InPS 4 pour une temperature de sulfuration voisine de 270–280 °C. Les proprietes electriques ( I-V, C-V et spectroscopie DLTS (deep level transient spectroscopy)) sont aussi etudiees: le champ de claquage et la densite d'etats d'interface sont de l'ordre de 7 × 10 6 V cm −2 et 2–5 × 10 11 cm −2 eV −1 dans la partie superieure de la bande interdite de InP.