Croissance hétérogène de semi-conducteurs III-V sur silicium : vers l'optoélectronique sur silicium

L’interet d’une croissance heterogene coherente et monolithique de semiconducteurs III-V sur substrat de silicium est exposee au regard des composants optoelectroniques vises. Les derniers developpements sur la croissance coherente de GaP sur silicium, et des possibles emetteurs optiques seront presentes.