Dünnfilm-Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung

Es wird ein Herstellungsverfahren einer Dunnfilm-Halbleitervorrichtung und eine Dunnfilm-Halbleitervorrichtung beschrieben, wobei ein Halbleiterdunnfilm mit einem Energiestrahl in Anwesenheit eines n-Typ oder p-Typ Fremdstoffs bestrahlt wird, um eine flache Diffusionsschicht auszubilden, bei welcher der Fremdstoff lediglich in eine Oberflachenschicht des Halbleiterdunnfilms diffundiert wird.