Procede de formation d'une electrode reflechissante et dispositif d'affichage a cristaux liquides

La presente invention concerne un procede de formation d'un transistor a couches minces (TFT) et d'une electrode reflechissante comprenant des cavites ou des elements saillants, a un cout de fabrication reduit et avec un nombre reduit d'etapes de fabrication, et un dispositif d'affichage a cristaux liquides sur lequel est applique le procede. Un film photosensible (8) est forme sur un film metallique (7). Les parties restantes (81, 82, et 83) sont alors formees a partir du film photosensible (8). Le film metallique (7) est grave a l'aide des parties restantes (81, 82 et 83) utilisees en tant que masques. Un film photosensible (9) et un film (10) a electrode reflechissante sont alors formes sans retirer les parties restantes (81, 82 et 83).