激光脉冲沉积法在Si（100）上生长c轴择优取向的LiNbO3晶体薄膜及其性能

采用激光脉冲沉积（PLD）法在Si(100）衬底上生长得到了完全c轴择优取向的LiNbO3（LN）薄膜，X射线衍射分析表明LN（006）衍射峰的半峰宽为0．35°。利用棱镜耦合器，激光可以被耦合到LN薄膜中，形成TE和TM模式的光波导。测得LN薄膜的折射率n0为2．285，薄膜的厚度为0．199μm。