半導体装置の製造方法、接着剤層付き半導体ウェハの製造方法、半導体素子付き半導体ウェハの製造方法、及び半導体ウェハ積層体の製造方法
2011
【課題】バンプ部分のボイドが低減され、研削後の反りを小さくすることができる、接着剤層付き半導体ウェハを用いる半導体装置の製造方法を提供すること。 【解決手段】金属バンプ12が形成された回路面を有する半導体ウェハ10の回路面上に、2種類以上の液状感光性接着剤の塗布及び塗膜の光照射によって、2層以上の構造を有する接着剤層付き半導体ウェハを得る工程と、接着剤層付き半導体ウェハを接着剤層とともに切断して複数の接着剤層付き半導体素子を得る工程と、接着剤層付き半導体素子と、他の半導体素子又は半導体素子搭載用支持部材とを、接着剤層付き半導体素子の接着剤層を挟んで圧着する工程とを備え、2層以上の構造を有する接着剤層が、回路面側にフィラーを含有する内層7と、フィラーを含有しない又は内層よりもフィラーの含有量が小さい最表面層6とを有する。 【選択図】図4
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