Capteur de distance et capteur d'image de distance

La presente invention concerne un capteur d'image de distance comportant une region d'imagerie composee d'une pluralite d'unites disposees de maniere bidimensionnelle (pixels (P)) sur un substrat semi-conducteur et capable d'obtenir une image de distance sur la base de quantites de charges (Q L , Q R ) delivrees par les unites. Une unite est dotee d'une region de generation de charges (region exterieure d'une electrode de transfert (5)) dans laquelle des charges sont generees de facon a correspondre a la lumiere entree ; au moins deux regions semi-conductrices (3) disposees l'une de maniere eloignee l'une de l'autre dans l'espace, pour collecter des charges generees par la region de generation de charges ; et une electrode de transfert (5), laquelle est disposee a chaque peripherie de la region semi-conductrice (3), comprend des signaux de transfert de charges, lesquels ont des phases differentes et lui sont transmis, et entoure la region semi-conductrice (3).