Matrice de detecteurs multispectraux

L'invention concerne une structure de matrice de detecteurs multispectraux (200) comprenant : une superposition de plusieurs couches de materiau semiconducteur separees par des couches de materiau dielectrique transparent pour une lumiere a detecter, la superposition offrant une face de reception de la lumiere a detecter, la superposition de couches de materiau semiconducteur etant repartie en elements d'image ou pixels, chaque partie de couche de materiau semiconducteur correspondant a un pixel comprenant un element de detection de la lumiere delivrant des charges electriques en reponse a de la lumiere recue par cet element de detection, des moyens de collecte des charges electriques delivrees par chaque element de detection de la lumiere, ces moyens de collecte etant relies electriquement a des moyens de connexion electrique (153) et comprenant des parois conductrices (151).