Procede et dispositif de traitement d'une surface d'un semi-conducteur

L'invention concerne un procede de traitement d'une surface (2) d'un semi-conducteur (1B) et un dispositif de traitement correspondant. La surface est occupee par des premieres molecules du semi-conducteur ayant des liaisons exterieures saturees par de l'hydrogene. Dans le procede, on envoie un faisceau (30) d'ions positifs fortement charges et a basse energie vers la surface, et on lui applique une tension de deceleration (U2) a proximite de la surface. De cette maniere, les ions extraient sans contact des electrons des premieres molecules, liberant les atomes d'hydrogene saturant les liaisons exterieures correspondantes. On envoie ensuite un produit saturant les liaisons exterieures pendantes, de facon a former des secondes molecules d'un compose isolant. Application au nettoyage de surface, a la gravure et a la nano-fabrication.