Procédé de dépôt de film enrobant de carbone amorphe par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (pecvd)

La presente invention concerne des procedes et un appareil pour le depot d'une couche de carbone amorphe sur un substrat. Selon un mode de realisation, un procede de depot comprend le positionnement d'un substrat dans une chambre de traitement de substrat, l'introduction d'une source d'hydrocarbure ayant un rapport atome carbone/atome d'hydrogene superieur a 1:2 dans la chambre de traitement, l'introduction d'un gaz precurseur de plasma choisi parmi le groupe constitue d'hydrogene, d'helium, d'argon, d'azote, et leurs combinaisons dans la chambre de traitement, la source d'hydrocarbure ayant un rapport de debit volumetrique sur le debit volumetrique de gaz precurseur de plasma egal ou superieur a 1:2, la generation d'un plasma dans la chambre de traitement, et la formation d'une couche de carbone amorphe enrobant sur le substrat.