Ｉｉｉ−ｖ族材料系のハイブリッドバイポーラ・電界効果電力トランジスタ

(57)【要約】 【目的】 本発明は、高電子移動度、高破壊電圧、高動 作速度、低損失のIII-Ｖ族材料で構成されたハイブリッ ドトランジスタを提供することを目的とする。 【構成】 コレクタ48、エミッタ44および漂遊ベース46 を有する垂直バイポーラトランジスタ構造42と、横方向 のチャンネル64, 66と、このチャンネル64, 66を通って 電流を導く手段と、チャンネル64, 66から垂直バイポー ラトランジスタ構造のベースへの垂直電荷キャリア注入 路を有する接合ゲートタイプ電界効果トランジスタ構造 62とを具備していることを特徴とする。