Transistor MOSFET à nanofils empilés en 3D avec possibilité de fonctionnement indépendant des grilles (ΦFET) : fabrication et propriétés de transport

L’integration de transistors a nanofils de Si empiles en 3D est une voix originale permettant de diminuer les fuites des transistors courts tout en offrant une densite de courant importante a l’etat ON. Une nouvelle architecture a ete proposee et brevetee : transistor a nanofils de Si empiles avec controle independant des grilles, le ΦFET. Ce travail propose et evalue electriquement une nouvelle technologie de realisation de transistors a nanofils empiles avec possibilite de controle independant des grilles. Nous avons mesure des densites de courants les plus elevees en comparaison a l’etat de l’art international (ION jusque 6. 5mA/µm). Par ailleurs, nous avons demontre experimentalement une reduction des effets de canaux courts sur les dispositifs a nanofils empiles par rapport a des FinFETs co-fabriques (epaisseurs jusque 6nm). Enfin, nous avons mis en evidence experimentalement le role des defauts crees lors de l'implantation ionique sur la mobilite des transistors a canaux courts.