氮化硅超细粉原位生长“无缺陷”a—氮化硅晶须

研究了用加压氮化法（ｉｎｃｒｅａｓｉｎｇ ｐｒｅｓｓｕｒｅ ｎｉｔｒｉｄａｔｉｏｎ，简称ＩＰＮ法）制备高活性、高纯度的氮化硅超细粉。用这种超细粉在一定温度范围内原位生长出“无缺陷”的ａ－Ｓｉ３Ｎ４晶须，其截面直径×长的尺寸分别为（０．１￣０．３ｕｍ）×（１０￣３０ｕｍ）。在氮化硅基体中加入“无缺陷”ａ－ＳｉＮ４晶须后，材料的断裂韧性ＫＩｃ达１０．５±０．９ＭＰａ·ｍ＾１／２；室温强度ａｆＲＴ达９２