Ion source and a plasma processing apparatus

長寿命で安定したプラズマの形成を可能とする。 本発明のイオン源は、プラズマ生成室(１４)を区画する誘電体からなる隔壁(１５)の外周側に高周波アンテナ(１６)が設置され、プラズマ生成室(１４)内には、高周波アンテナ(１６)と対向する隔壁(１５)内周面への膜の付着を規制する誘電体からなるシールド体(２６)が設けられている。 当該構造体が誘電体で構成されているので、プラズマとの誘導結合に必要な高周波電力の増大を抑制することができる。 更に、このシールド体(２６)には、高周波アンテナ(１６)の巻回方向を横切る方向にスロット(２６ａ)が形成されている。 この構成により、隔壁の内面に対して高周波アンテナの巻回方向に付着膜が連続化することを防止できるので、付着膜が導電性物質の場合においても高周波アンテナとプラズマ生成室との間の誘導損失を効果的に抑えることができる。