Procede de formation d'un dispositif semi-conducteur a constante dielectrique k elevee

L'invention concerne un procede destine a la formation d'un dispositif semi-conducteur a constante dielectrique k elevee. Ce procede consiste a former un oxyde metallique (8) sur un oxyde de haute qualite (16) qui a ete depose sur un substrat (12). Le procede consiste ensuite a soumettre l'ensemble a un recuit pour produire une reaction permettant de former une couche d'oxynitrures metalliques de silicium (22) qui est ensuite utilisee dans un empilement de grille. Ce nouveau schema d'integration permet d'obtenir des dispositifs avec une meilleure variabilite dimensionnelle et moins de courants de fuite.