반도체 : BCD Platform과의 집적화에 적합한 고성능 Lateral Super Barrier Rectifier의 연구

제안한 고성능 Lateral SBR은 우수한 순방향 전압 강하 특성(VF=0.38 V@IF=35 mA)과 낮은 역방향 누설전류 특성, 그리고 고온 동작 안정성(3.25 uA@T_j=150℃)을 확보가 가능하며 기존 BCD Platform에서 제공하는 PN junction 다이오드와 쇼트키다이오드의 단점을 극복 가능하였다. 나아가 BCD Platform에서 제공하는 Lateral 형태의 소자와 함께 집적화가 가능하여 고성능 IC설계에 대한 자유도를 높일 수 있다.