Verfahren zum Herstellen einer epitaktischen Bauelementschichtenfolge und optoelektronischer Halbleiterchip

Es wird Verfahren zum Herstellen einer epitaktischen Bauelementschichtenfolge auf der Basis eines ersten III/V-Verbindungshalbleitermaterialsystems mit einem ersten Gruppe V-Element auf einem Substrat oder einer Pufferschicht angegeben, das bzw. die ein Material auf der Basis eines zweiten III/V-Verbindungshalbleitermaterialsystems mit einem zweiten Gruppe V-Element umfast, das von dem ersten Gruppe V-Element verschieden ist. Auf das Substrat bzw. auf die Pufferschicht wird vor dem Aufbringen der epitaktischen Bauelement-Schichtenfolge mindestens eine Schichtabfolge mit einer ersten und einer zweiten III/V-Verbindungshalbleitermaterialschicht aufgebracht, wobei die erste und die zweite III/V-Verbindungshalbleitermaterialschicht voneinander verschiedene Zusammensetzungen aufweisen und sowohl das erste als auch das zweite Gruppe V-Element enthalten. Weiterhin wird ein entsprechender optoelektronischer Halbleiterchip angegeben.