Halbleiterbauteil mit Passivierungsschicht

Halbleiterbauteil, mit einem Halbleiterkorper (1), oberhalb dessen eine Passivierungsschicht (6) vorgesehen ist, wobei zwischen der Passivierungsschicht (6) und dem Halbleiterkorper (1) eine Metallschicht (4), die eine Kante aufweist, vorgesehen ist, gekennzeichnet durch eine Rissbildungsstruktur, (8, 10, 11, 13) die einen Hohlraum (13) umfasst, der zwischen der Kante (8) der Metallschicht (4) und einer an die Metallschicht (4) angrenzenden Isolations-/Spacerstruktur (12) ausgebildet ist.