Appareil et procédé de traitement par plasma

L’invention concerne un appareil et un procede de traitement par plasma qui est parfaitement approprie pour deposer, graver ou traiter des films semi-conducteurs, conducteurs ou isolants. Les unites de production de plasma comportent une ou plusieurs electrodes allongees du cote du substrat ou le traitement est realise et une electrode neutre a proximite du cote oppose du substrat. Des gaz peuvent etre injectes a proximite d’une electrode sous tension pour qu’ils se decomposent sous l’effet de l’electricite et produisent des especes activees se dirigeant vers la zone du substrat. Ce gaz s’ecoule ensuite dans une region de traitement etendue se trouvant entre les electrodes sous tension et le substrat, ou ils reagissent rapidement, efficacement et de maniere controlee et continue avec le substrat. Les gaz sont elimines par des passages se trouvant entre l’electrode ou les electrodes sous tension et un diviseur.