Couche de commutation pour memristance

L'invention concerne une memristance dotee d'une couche de commutation qui comprend une couche d'oxyde d'aluminium d'une epaisseur situee dans une plage d'environ 50 a 600 angstroms. La memristance comporte: une premiere electrode; une deuxieme electrode; et la couche de commutation positionnee entre la premiere electrode et la deuxieme electrode, la couche de commutation comprenant la couche d'oxyde d'aluminium dont l'epaisseur se situe dans la plage d'environ 50 a 600 angstroms.