반도체 장치 세정액 및 이를 이용한 반도체 장치 세정방법

반도체 장치 세정액 및 이를 이용한 반도체 장치의 세정방법이 개시되어 있다. 반도체 장치 세정액은 암모니아수, 상기 암모니아수 보다 높은 비율의 초산 및 상기 초산 보다 높은 비율의 탈이온수로 이루어진다. 상기 세정액을 이용한 반도체 장치의 세정방법은 금속 패턴이 노출된 반도체 기판에 암모니아수, 초산 및 탈이온수로 이루어진 세정액을 제공하여 세정액막을 형성하고 상기 세정액막에 메가소닉 에너지를 제공한다. 상기 메가소닉 에너지, 상기 메가소닉 에너지에 의한 세정액 내의 기포 파열 에너지 및 상기 세정액의 화학적 작용에 의해 금속 패턴이 노출된 반도체 기판을 세정한다.