溅射气压和衬底温度对Si 1-x Ge x 薄膜结构和光吸收性能的影响

采用射频磁控溅射法沉积了Si1-xGex薄膜, 研究了溅射气压、衬底温度对薄膜结构、厚度、表面形貌、表面成分及光吸收性能的影响。结果表明: 薄膜均为微晶结构且相组成不随溅射气压和衬底温度的改变而改变; 随着溅射气压升高, 薄膜结晶性能降低, 升高衬底温度使其结晶性能提高; 随气压或温度的升高, 薄膜厚度均先增大后减小, 在1.0 Pa或400 ℃达到最大值; 随温度的升高, 薄膜表面团簇现象消失并变得平整致密, 气压为8.0 Pa时, 表面有孔洞和沟道; 随气压升高, 薄膜中锗含量降低, 光吸收强度减小, 光学带隙增大; 衬底温度的变化对光学带隙影响不大。