Dispositif et procédé de dopage par plasma, procédé de fabrication d'un élément semi-conducteur, et élément semi-conducteur

La presente invention concerne un dispositif de dopage par plasma qui permet de reduire l'endommagement du substrat a traiter et qui facilite un dopage uniforme. Ledit dispositif de dopage par plasma 31 comporte une chambre de traitement 32 dans laquelle un dopant est implante dans un substrat a traiter, une unite d'alimentation en gaz 33 introduisant un gaz dopant et un gaz inerte pour excitation du plasma a l'interieur de la chambre de traitement 32, une table de support 34 disposee a l'interieur de la chambre de traitement 32 sur laquelle repose le substrat a traiter W, un mecanisme de production de plasma 39 generant un plasma a l'interieur de la chambre de traitement 32 a l'aide de micro-ondes, une source d'alimentation haute frequence 58 qui peut fournir une puissance de polarisation a la table de support 34, et un controleur 28 controlant le dispositif de dopage par plasma 31. Ledit controleur 28 controle la puissance de polarisation fournie par la source d'alimentation haute frequence 58 de telle sorte que l'energie des ions de dopant soit inferieure a 100 eV.