Method for manufacturing doped polycrystalline silicon of emitting electrode

本发明公开了一种发射极掺杂多晶硅的制造方法，硅片上已由介质层形成发射极窗口，发射极窗口中的基区表面已具有一层氧化硅；第1步，采用腔体减压化学气相淀积工艺在发射极窗口中的氧化硅之上交替地淀积非掺杂的多晶硅和掺杂的多晶硅；第2步，采用快速热退火工艺，使所淀积的非掺杂的多晶硅和掺杂的多晶硅中的掺杂物分布均匀。 本发明可以提高多晶硅的生长速率，保持掺杂多晶硅中的掺杂物浓度及分布均匀，还可改善晶粒尺寸和表面粗糙度。