Effect of TMGa flux on GaN films deposited on Ti coated on glass substrates at low temperature

高度， c-axis-oriented 轧了电影用低温度电子回旋加速器回声血浆在 Ti 涂的玻璃底层上被扔提高的金属有 trimethyl 镓(TMGa ) 的器官的化学蒸汽免职系统(ECR-PEMOCVD ) 作为镓来源。性质上的 TMGa 流动的影响轧了电影被思考系统地高调查精力电子衍射(RHEED ) ， X 光检查衍射分析(XRD ) ，原子力量显微镜学(AFM ) 和散布的拉曼。与小表面粗糙轧了电影，高 c 轴比较喜欢取向成功地在 1.0 sccm 的优化 TMGa 流动被完成。欧姆的接触特征在之间轧， Ti 层清楚地被表明由在线性附近当前电压(IV ) 弯。GaN/Ti/glass 结构有潜在的伟人戏剧性地改进可伸缩性并且减少固态的点亮的费用点亮射出二极管。