Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur

Le dispositif semi-conducteur selon l'invention comporte une pellicule ecran. Specifiquement, une couche intermediaire (25) composee principalement de cuivre, mais contenant une quantite predeterminee de metal diffusible et a laquelle on ajoute un gaz de reaction est deposee en pulverisant une cible d'alliage composee principalement de cuivre et a laquelle est ajoute le metal diffusible, tout en injectant un gaz de reaction contenant de l'oxygene ou de l'azote. Le fait que la teneur en metal diffusible soit controlee avec precision permet de realiser avec certitude une pellicule ecran en chauffant la couche intermediaire (25). De plus, la reactivite du metal diffusible est augmentee en ajoutant le gaz de reaction dans la couche intermediaire (25), ce qui permet de realiser la pellicule ecran a une temperature inferieure aux temperatures de chauffage conventionnelles.