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31p-C-5 CBED法によるSi中のイオン打ち込みされた不純物濃度分布の決定
31p-C-5 CBED法によるSi中のイオン打ち込みされた不純物濃度分布の決定
1996
yosio kikuti
masataka kasei
naoto hasikawa
fumihiko uesugi
kazuhito watanabe
gan hasimoto
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