Mesure du coefficient d'absorption et de la transmission dérivée dans Ga1-xAlxAs epitaxial

Une methode simple de polissage mecanique et chimique permet d'eliminer le substrat de couches minces de Ga1-xAl xAs, de quelques dizaines de μm d'epaisseur, obtenues par croissance epitaxiale sur GaAs. La mesure du coefficient de reflexion et de transmission permet de calculer le coefficient d'absorption, la largeur de la bande interdite et le parametre d'elargissement du aux collisions, au voisinage de la transition fondamentale Γv15 → Γc 1. La derivee de la transmission obtenue par modulation de longueur d'onde offre une deuxieme methode de mesure de l'energie et de la largeur de la transition, en bon accord avec la premiere.