磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置

【課題】 ノイズを抑制し、かつスピントルクの影響を抑制しながら大きなＭＲ比を得ることができるＣＰＰ−ＧＭＲ素子を提案する。 【解決手段】 ＣＰＰ−ＧＭＲ素子におけるスペーサー層を構成する半導体層の厚さは、当該半導体層と前記第１の非磁性金属層および第２の非磁性金属層との接合関係において、オーミック伝導特性と半導体伝導特性との間の伝導特性を示す遷移領域の膜厚範囲に設定される。 【選択図】 図１