Thermodynamic analysis of Al0.17Ga0.83As/GaAs (001) in annealing process

在As4束流等效压强为1.210-3 Pa、退火60 min条件下改变退火温度，对Al0.17Ga0.83As/GaAs薄膜表面平坦化的条件进行了探讨.定量分析了薄膜表面坑、岛与平台的覆盖率和台阶-平台间薄膜粗糙度随退火温度变化的规律，得到最合适的退火温度为545℃（1℃）；根据退火模型发现退火温度的改变会影响参与熟化的原子的数量，熟化原子比正比于退火温度，即 T.退火温度540℃条件下退火约60 min，薄膜表面达到基本平坦，推测此时0.20 0.25；退火温度为545℃时，推测退火时间约为5560 min.本实验得到的结论可以为生长平坦的Al0.17Ga0.83As/GaAs薄膜提供理论与实验指导.