Tb：YAl3（BO3）4晶体的生长与光谱性质

采用助溶剂法成功地生长了Tb:YAl3(BO3)4晶体.测量了晶体的室温透过谱和荧光光谱.晶体的透光波段较宽,紫外截止吸收边在230 nm附近.实验表明,在一定能量光的激发下,晶体在485 nm、542 nm、590 nm、622 nm处可产生强弱不同的发射谱峰.在542 nm处最强,对应于Tb3+的5D4→7F5发射.Tb:Al3(BO3)t晶体的比热为0.755 0 J/g@.C