1P-659: ALD 공정을 이용한 태양전지용 Cu 2 S 광흡수층 박막 분석 및 특성

Cu2S는 안정적이며 좁은 1.2eV의 band gap 반도체 물질로 우수한 광학적, 전기적 특성을 지니고 있는 물질이다. 또한 높은 흡수 계수를 가지며 ALD기반의 Cu2S 증착을 통한 광 흡수 층 물질 변경 및 3-D nano hybride 구조로 응용도 가능하다. Cu precursor 온도 50 °C, chamber 내의 온도 200°C에서 Cu precursor와 H2S gas를 결합시켜 600cycle 정도 결합시켜 Cu2S를 증착시켰다. 이렇게 태양전지 광흥수층에 이용 가능한 Cu2S을 ALD공정으로 증착시킨 후 Scanning electron microscope(SEM), X-ray diffraction(XRD), Energy-dispersive X-ray spectroscopy(EDX) 등을 이용하여 박막 분석 및 특성을 연구하였다. **Acknowledgement : 본 연구는 미래창조과학부에서 지원하는 DGIST 기관 고유사업에 의해 수행되었습니다(16-EN-03).