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低い正孔障壁を有するPtGe/Geコンタクトの作製とメタルS/D型Ge p-MOSFETへの適用 (シリコン材料・デバイス)
低い正孔障壁を有するPtGe/Geコンタクトの作製とメタルS/D型Ge p-MOSFETへの適用 (シリコン材料・デバイス)
2015
yuuta eifuu
sintarou tanaka
yuuiti nagaoka
Keywords:
Parasitic element
Electronic engineering
MOSFET
Passivation
Materials science
Optoelectronics
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